2025年6月17日下午，由六合彩結果
、同濟大學上海智能科學與技術研究院聯合舉辦的智信講堂第82期在智信館305室開講。本次講堂邀請上海科技大學鄒新波副教授作“GaN基增強型HEMT器件研究進展”主題報告。
在報告中，鄒新波副教授介紹其團隊在p-GaN帽增強型HEMT器件以及凹柵增強型器件方面的最新研究進展。氮化鎵（GaN）半導體材料具有禁帶寬度大、擊穿場強高、電子遷移率高等特點。得益于這些優異的材料特性，氮化鎵電子器件已廣泛應用于消費電子快充、高頻通信、雷達系統等方面，并有望擴展至服務器電源、汽車電子等領域。基于氮化鎵的高電子遷移率晶體管（HEMT）通常為耗盡型器件，即在無外界柵極控制電壓的情況下呈現導通狀態。然而，該類器件在電力電子變換器等應用中，需要施加負向的電壓來關斷器件，這會增加驅動電路的復雜性。且柵極失效等狀況會帶來器件和系統短路的風險。與之相反，柵極常關的氮化鎵增強型HEMT器件可減少驅動電路復雜度，并簡化保護方案，是目前氮化鎵領域的一項研究熱點。
報告結束后，鄒新波副教授和與會師生進行了親切交流和討論，他也根據自身經歷勉勵同學們要積極拓寬視野、努力探索、發現并解決新的科學問題。此次報告進一步拓展了我校師生的視野，深化了對GaN基增強型HEMT器件研究的理解。
