4月11日，教育部科技發展中心委托同濟大學在上海組織專家委員會對電信六合彩結果
電子系高玉竹副研究員完成的“熔體外延法生長的8-12um波段的InAsSb單晶”項目進行了鑒定。鑒定會由中科院院士夏建白研究員擔任專家委員會的主任委員。電信六合彩結果
副院長劉富強到會講話，電子系主任羅勝欽主持鑒定會。
鑒定委員會認真聽取了研究報告、測試報告和用戶報告，觀察了晶體材料和器件樣品，審閱了有關資料，經過認真討論，形成了以下鑒定意見：熔體外延技術是該項目負責人高玉竹發明的一種新的晶體生長技術，是液相外延技術的一個重要發展。InAsSb（銦砷銻）是一種新的紅外材料，可用于制作室溫長波紅外探測器。該項目采用熔體外延法在國內率先生長出了厚度大于100um的InAsSb外延單晶，截止波長進入8-12um波段。測量結果表明，InAsSb材料具有良好的單晶取向和結晶質量，位錯密度達到10的4次方/cm2量級。室溫下霍爾測量得到的電學指標如下：載流子濃度為1-3×10的16次方cm-3，電子遷移率大于50000 cm2/Vs。由本項目提供的InAsSb材料，制作出了2-9um波段的高靈敏度室溫紅外探測器。該器件為浸沒型光導器件，浸沒透鏡為單晶Si（硅）光學透鏡。在透鏡上鍍有一層SiO（一氧化硅）或ZnS（硫化鋅）增透膜的情況下，測得的黑體響應率達到168V/W，黑體探測率為2×10的8次方～1×10的9次方cm?Hz1/2W-1，峰值探測率大于1×10的9次方cm?Hz1/2W-1，響應時間小于1us。綜上所述，材料質量優于國際公開報道的水平，為我國紅外技術的發展提供了一種新材料。探測器的性能指標已達到應用水平，顯示了該材料應用于室溫中、長波紅外探測器的良好前景。該成果的綜合技術在國內處于領先地位。
高玉竹副研究員早在日本靜岡大學留學期間，通過改變常規的液相外延（LPE）生長工藝，發明了熔體外延（melt epitaxy, 簡稱ME）生長法，并用ME法在常規液相外延系統中生長出了截止波長8-12um的InAsSb單晶材料，在國際科學雜志上發表了一批論文，曾獲得了國際上的承認。回國后，她連續3次承擔了該領域中的國家自然科學基金項目，經5年的繼續深入研究，終于用熔體外延法生長的8-12um波段的InAsSb單晶，取得了目前階段性的研究成果。（毛廣山） 發布日期：2009-04-13
